机译:具有远程H-2等离子体钝化和后金属化退火的远程等离子体原子层沉积Al2O3 4H SiC MOS电容器
机译:远程等离子体原子沉积Al2O3栅介质的GaN MIS电容器的制备与性能
机译:使用远程等离子体形成的氧氮化物底层上的ALD HfO_2薄膜和界面层的热稳定性
机译:用于沟槽电容器应用的Al {Sub} 2O {Sub} 3的远程等离子体和热ALD
机译:复合多层膜结构,用于折射率定制和Ald高纵横比沟槽填充。
机译:(NH4)2S用于ALD Al2O3的InP MOS电容器的表面钝化工艺
机译:InAlN / AlN / GaN HEMT的热对等离子体辅助ALD Al2O3钝化的评估